Здоровье Техника HMD получила контроль над брендом Nokia, смартфоны дебютируют в 2017 году

HMD получила контроль над брендом Nokia, смартфоны дебютируют в 2017 году

| | Нет комментариев| 05:40



Компания Nokia подтвердила окончательное вступление в силу стратегического соглашения относительно ее бренда и интеллектуальной собственности с компанией HMD Global, изначально анонсированного 18 мая 2016 года.


С сегодняшнего дня HMD имеет право начать работать как «новый дом» телефонов Nokia в соответствии с эксклюзивной лицензией на бренд, охватывающей следующие 10 лет.

Выпускающиеся на данный момент простые телефоны Nokia продолжат продаваться, наряду с новым портфолио смартфонов и планшетов, которые будут представлены позднее. HMD планирует показать новые смартфоны в 2017 году.

Анонс первых из них может состояться на выставке MWC 2017, которая пройдет в Барселоне с 27 февраля по 2 марта. В мае Nokia сообщила о заключении стратегического лицензионного соглашения с финской HMD Global относительно интеллектуальной собственности и бренда, в рамках которого HMD Global сможет создавать телефоны и планшеты нового поколения под брендом Nokia в течение следующих десяти лет. Одновременно Microsoft объявила о продаже активов, связанных с телефонами начального уровня компаниям FIH Mobile и HMD Global.

Related Post

Apple начала менять iPad четвертого поколения на iPad Air 2Apple начала менять iPad четвертого поколения на iPad Air 2

| | Нет комментариев| 23:56


Пользователи iPad четвертого поколения, в случае необходимости полной замены гаджета при поломке, теперь могут начать получать более новый и мощный iPad Air 2 в качестве замены. Об этом сообщил профильный

Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чиповSamsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов

| | Нет комментариев| 05:13


Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную 3D-структуру. Он