Здоровье Обзоры и Статьи Флагманский Xiaomi Mi 6 может дебютировать на 14 февраля

Флагманский Xiaomi Mi 6 может дебютировать на 14 февраля

| | Нет комментариев| 18:24



На просторах Weibo, китайского аналога Twitter, обнаружился постер, намекающий на дату анонса следующего флагманского смартфона китайской компании Xiaomi.


На постере можно разглядеть логотип Mi, цифру «6» и дату — 14 февраля. Как предположили эксперты и поклонники Xiaomi, речь идет о новом смартфоне Xiaomi Mi 6, который должен продолжить флагманскую линейку Xiaomi.

Предположительно, Xiaomi Mi 6 станет самым мощным смартфоном бренда на момент выпуска. Согласно более ранним слухам, он, на пару с Samsung Galaxy S8, станет одним из первых смартфонов, созданных на основе нового процессора Qualcomm Snapdragon 835. Как ожидается, продажи начнутся в марте 2017 года.

Напомним, Samsung участвует в разработке нового процессора Snapdragon 835, который базируется на основе техпроцесса Samsung 10-нм FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 27%, а также снижение энергопотребления на 40% по сравнению с 14-нанометровым предшественником. Устройства на базе Qualcomm Snapdragon 835 должны появиться в продаже в первой половине 2017 года.

Related Post

Xiaomi Mi 5s с 6 ГБ оперативной памяти засветился вживуюXiaomi Mi 5s с 6 ГБ оперативной памяти засветился вживую

| | Нет комментариев| 22:01


На просторах Weibo, китайского аналога Twitter, обнаружились живые фотографии более мощной версии смартфона Xiaomi Mi 5s, которая не была представлена официально производителем. Напомним, Xiaomi анонсировала Mi 5s и 5s Plus

Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чиповSamsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов

| | Нет комментариев| 10:36


Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную 3D-структуру. Он